삼성전자, 1c D램 개발 성공: HBM4로 AI 메모리 시장 판 뒤집기 가속

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삼성전자, 1c D램 개발 성공: HBM4로 AI 메모리 시장 판 뒤집기 가속

Htsmas 2025. 7. 4. 08:58

삼성전자가 10나노급 6세대 D램(1c D램) 개발을 완료하며 차세대 고대역폭메모리(HBM4) 양산의 기술적 토대를 마련했습니다. 이는 AI와 고성능 컴퓨팅(HPC) 수요가 폭발적으로 증가하는 가운데, 삼성전자가 메모리 반도체 시장에서 경쟁력을 회복할 결정적 계기가 될 전망입니다. 아래는 투자자 관점에서 주요 내용을 분석한 요약입니다.

핵심 내용 분석

1c D램 개발 성과
- 기술적 특징: 삼성전자는 10나노급(약 12~13nm) 1c D램 개발을 완료하고 내부 생산 준비 승인(PRA)을 획득했습니다. 이는 품질과 성능 기준을 충족한 상태로, 2025년 하반기 양산을 목표로 최종 준비 단계에 돌입했습니다. 1c D램은 이전 세대(1a, 1b) 대비 회로 선폭이 좁아져 데이터 전송 속도와 전력 효율이 개선된 최신 공정입니다.
- 중앙 배선층 개선: 삼성전자는 D램 칩 내부의 전력과 신호 흐름을 담당하는 중앙 배선층 구조를 혁신적으로 개선해 발열 문제를 해결하고 수율을 높였습니다. 이는 HBM4의 안정성과 성능을 강화하는 핵심 요소입니다.
- 수율 현황: 최근 보고에 따르면, 1c D램의 저온 테스트 수율은 약 40%, 고온 테스트는 50~60%로, 1년 전 0%에 가까웠던 수율이 크게 향상되었습니다. 양산 기준(60~70%)에 근접하며 안정적 생산 가능성을 보여줍니다.
HBM4와의 연계
- HBM4의 중요성: 1c D램은 HBM4의 코어 다이로 사용되며, HBM4는 2026년 엔비디아의 루빈(Rubin) GPU부터 본격 탑재될 예정입니다. HBM4는 HBM3E 대비 데이터 전송 속도가 66% 증가한 초당 2TB, 용량은 33% 늘어난 48GB로, AI 서버와 HPC 애플리케이션에 최적화된 메모리입니다.
- 시장 전망: 시장조사기관 트렌드포스는 2025년 하반기부터 HBM4가 HBM3E를 앞지를 것으로 전망하며, HBM 수익이 D램 시장의 30% 이상을 차지할 것으로 예측합니다. HBM4 단가는 HBM3E 대비 약 30% 상승할 것으로 예상돼 수익성 개선에 기여할 가능성이 큽니다.
삼성전자의 경쟁 전략
- 엔비디아와 협력: 삼성전자는 최근 AMD에 HBM3E 12단 칩 공급에 성공했으며, 엔비디아와 HBM4 공급 계약 논의를 심도 있게 진행 중입니다. HBM3E 8단과 12단의 엔비디아 품질 테스트는 2025년 6~7월 완료될 전망이며, 성공 시 공급량 확대가 기대됩니다.
- 파운드리 협력: HBM4의 로직 다이(메모리 제어 핵심 부품)는 삼성 파운드리 4나노 공정 또는 TSMC 3나노 공정으로 생산될 가능성이 있습니다. TSMC와의 협력은 고객 요구에 맞춘 유연한 전략으로 평가됩니다.
- 로드맵 가속화: 삼성전자는 당초 2026년 HBM4 양산 계획을 2025년 하반기로 앞당겼으며, 7월 초 엔비디아와 AMD에 12단 HBM4 샘플 공급을 준비 중입니다.
경쟁사 대비 위치
- SK하이닉스: SK하이닉스는 1b 공정 기반 HBM4를 2025년 3월부터 고객사에 샘플 공급하며 선두를 달리고 있습니다. 그러나 삼성의 1c 공정은 한 세대 앞선 기술로, 수율 안정화에 성공하면 기술 우위를 점할 가능성이 있습니다.
- 마이크론: 마이크론은 1b 및 1γ(1c에 대응) 공정으로 HBM4를 준비 중이며, 엔비디아의 소캠(SOCAM) 공급에서 선두를 달리고 있습니다. 삼성의 HBM4 성공은 소캠 시장에서의 경쟁력 강화로 이어질 수 있습니다.
시장 트렌드와 재무적 영향
- 시장 트렌드: AI 서버와 데이터센터 수요 증가로 HBM 시장은 2025년 약 80%가 HBM3E로, 2026년부터 HBM4로 전환될 전망입니다. 구글, 아마존, 메타 등 빅테크 기업의 자체 AI 칩 개발로 HBM 수요가 폭발적으로 증가하고 있습니다.
- 재무적 영향: 삼성전자의 2024년 4분기 메모리 사업 매출은 30.1조 원, 영업이익 2.9조 원으로, HBM3E 판매 증가로 역대 최대 매출을 기록했습니다. HBM4 양산 성공 시 2026년부터 매출 기 기여가 본격화될 전망입니다.
- 미래 전망: 1c D램과 HBM4는 삼성전자가 33년 만에 SK하이닉스에 내준 D램 시장 1위 자리를 되찾는 데 핵심 역할을 할 것으로 기대됩니다.

투자 아이디어

삼성전자의 1c D램 개발 완료와 HBM4 양산 준비는 AI 반도체 시장에서의 반격 가능성을 높이며, 투자자들에게 매력적인 기회를 제공합니다. 아래는 주요 투자 전략과 주목할 테마입니다.

HBM4 시장 선점 가능성
삼성전자의 1c D램은 HBM4의 핵심 기술로, 엔비디아와 AMD 등 주요 고객사와의 협력 성공 시 시장 점유율 확대가 기대됩니다. 특히, HBM4 단가 상승(30%)은 수익성 개선에 크게 기여할 가능성이 높습니다.
AI와 HPC 수요 확대
HBM4는 AI 서버, 데이터센터, 슈퍼컴퓨터 등 고성능 컴퓨팅 애플리케이션에 필수적입니다. 엔비디아의 루빈 GPU(2026년)와 빅테크의 자체 AI 칩 개발로 HBM 수요가 급증할 전망입니다.
공급망 다변화 전략
삼성전자는 엔비디아 외에도 AMD, 테슬라, 구글 등 다양한 고객사를 공략하며 공급망 다변화를 추진하고 있습니다. 테슬라의 HBM4 샘플 요청은 새로운 수익원 창출 가능성을 보여줍니다.
장기 성장 잠재력
HBM4 양산이 2025년 하반기 시작되면, 2026년부터 매출 기여가 본격화될 전망입니다. 시장조사기관 옴디아는 HBM4 공급 능력이 시장 경쟁력을 좌우할 것이라고 전망하며, 삼성의 기술 우위가 주목됩니다.
리스크 요인
- 수율 안정화: 1c D램의 현재 수율(40~60%)은 양산 기준(60~70%)에 미치지 못하며, 추가 설계 개선이 필요할 수 있습니다.
- 경쟁 심화: SK하이닉스와 마이크론의 선행 공급과 중국 메모리 기업의 저가 공세로 가격 경쟁이 심화될 가능성.
- 고객 인증: 엔비디아의 엄격한 품질 테스트 통과 여부가 HBM4 공급 확대의 핵심 변수입니다.

삼성전자	005930	1c D램 개발 완료 및 HBM4 양산 준비로 AI 메모리 시장 선점 기대. 엔비디아와 AMD 공급 논의로 매출 성장 전망.
퀄컴 (Qualcomm)	QCOM	스냅드래곤 AP와 HBM4 호환성 강화로 온디바이스 AI 시장 수혜.
엔비디아 (NVIDIA)	NVDA	HBM4 탑재 루빈 GPU 개발 주도. 삼성전자와의 공급 협력으로 영향력 확대.
AMD	AMD	삼성의 HBM3E 12단 공급 성공 및 HBM4 샘플 공급 예정으로 AI 칩 시장 성장.
테슬라 (Tesla)	TSLA	HBM4 샘플 요청으로 AI 칩과 데이터센터 메모리 수요 확대 기대.

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