TSMC의 GaN 철수, 삼성전자에 열린 6조원 시장 기회! 전력반도체 패권 잡아라!

대만 TSMC가 2027년 7월 31일부로 질화갈륨(GaN) 기반 전력반도체 파운드리 사업에서 철수한다고 발표하며, 글로벌 전력반도체 공급망에 큰 변화를 예고했습니다. TSMC는 고수익 AI 및 첨단 패키징(CoWoS, WoW, WLSI) 사업에 집중하기 위해 GaN 생산라인(신주 Fab 5)을 2025년 7월부터 첨단 패키징 시설로 전환합니다. 이는 중국 업체들의 저가 공세로 GaN 사업의 수익성이 낮아진 데 따른 전략적 결정으로 풀이됩니다. 한편, 삼성전자는 2025년 8인치 GaN 파운드리 서비스를 시작하며 이 시장에 본격 진출할 계획으로, TSMC의 철수는 삼성에게 위기와 기회를 동시에 제공합니다.

주요 내용 분석

• TSMC의 GaN 철수 배경:
  • TSMC는 현재 6인치 GaN-on-Silicon 웨이퍼를 월 3,000~4,000장 생산하며, 주요 고객사로 나비타스(Navitas, 50% 이상), 앙코라 세미(Ancora Semi), 로옴(ROHM), ST마이크로일렉트로닉스(ST) 등을 보유하고 있습니다.
  • 중국의 인노사이언스(Innoscience) 등 저가 GaN 제조업체들의 가격 경쟁으로 수익성이 악화되자, TSMC는 GaN 사업(매출 비중 낮음)을 포기하고 AI 중심의 2~7나노 공정과 첨단 패키징에 집중합니다. 2025년 TSMC의 달러 매출은 24~26% 성장(1,000억 달러 전망)하며, GaN 철수는 재무 목표에 영향이 없다고 밝혔습니다.
  • 신주 Fab 5는 2025년 7월부터 CoWoS 등 첨단 패키징으로 전환되며, 기존 GaN 장비는 계열사 VIS(Vanguard International Semiconductor)에 매각됩니다.
• 삼성전자의 GaN 전략:
  • 삼성전자는 2023년 파운드리 포럼에서 2025년 8인치 GaN 파운드리 서비스를 시작한다고 발표했습니다. CSS(Compound Semiconductor Solutions) 사업팀을 신설해 GaN 및 SiC(실리콘 카바이드) 전력반도체 개발에 주력하고 있습니다.
  • 2024년 LED 사업을 정리하며 자원을 GaN 전력반도체로 재배치했으며, 고전압·고효율 GaN 기술을 AI 데이터센터, 전기차(EV), 5G 통신, 신재생에너지 등에 적용할 계획입니다.
  • 삼성의 GaN 파운드리는 8인치 GaN-on-Silicon 공정을 기반으로 하며, TSMC의 6인치 대비 생산 효율성이 높고, 12인치 공정 전환 가능성도 염두에 두고 있습니다.
• 시장 트렌드와 전망:
  • GaN 시장 성장: 글로벌 GaN 전력반도체 시장은 2023년 3,800억원(2.71억 달러)에서 2030년 6.2조원(43.76억 달러)으로 연평균 49% 성장할 전망입니다(트렌드포스). 옴디아는 2032년 8.8조원(64억 달러)으로 전망하며, 전기차, 5G, 데이터센터, 고속 충전기 수요가 성장을 견인합니다.
  • GaN의 강점: GaN은 실리콘 대비 넓은 밴드갭(3.4eV vs 1.2eV)으로 에너지 효율이 높고, 빠른 스위칭 속도, 낮은 발열, 소형화가 가능해 전기차 충전기, 데이터센터 전원공급장치, 5G 기지국 등에 적합합니다.
  • 경쟁 환경: 중국의 인노사이언스가 8인치 GaN 생산을 주도하며 저가 공세를 펼치고, 인피니언은 Lill12인치 GaN 공정으로 생산성을 높여 경쟁 중입니다. 미국의 울프스피드(Wolfspeed)는 재무난으로 파산 신청(2025년 6월)하며 시장 공백이 발생했습니다.
• 재무적 영향:
  • TSMC: GaN 사업 비중이 낮아 철수는 재무에 미미한 영향을 미치며, 2025년 매출 1,000억 달러(24~26% 성장) 목표 유지.
  • 삼성전자: 2024년 파운드리 매출 230억 달러(4% 증가), 영업이익 20억 달러 전망. 2025년 GaN 파운드리 시작으로 매출 10~15% 성장, 영업이익 30억 달러 가능성. GaN 수주 성공 시 2026년부터 연 1조원 추가 매출 기대.
  • 나비타스: TSMC의 철수로 PSMC로 생산 이전(2026년 100V 제품 양산, 12~24개월 내 650V 전환). 단기적 공급망 혼란 가능성.
• 리스크와 기회:
  • 기회: TSMC의 철수로 삼성전자는 나비타스, 로옴 등 기존 TSMC 고객사의 수주를 확보할 기회. GaN 시장의 고성장(49% CAGR)으로 장기적 수익 창출 가능.
  • 리스크: 중국 업체의 저가 공세, 8인치 GaN 공정의 기술적 안정성 확보 지연, 인피니언의 12인치 공정 경쟁력 강화 등이 위험 요인.

투자 아이디어

TSMC의 GaN 전력반도체 철수는 삼성전자와 글로벌 전력반도체 공급망에 새로운 기회를 제공하며, 전기차, AI, 5G, 신재생에너지 테마에 투자 가능성을 열어줍니다. 투자자들은 아래를 주목해야 합니다.

• 기회:
  • 전력반도체 테마: GaN 시장은 2030년 6.2조원, 2032년 8.8조원으로 고성장 전망이며, 삼성전자의 8인치 GaN 파운드리는 TSMC의 공백을 메우며 시장 점유율 확대 가능성이 큽니다.
  • AI 및 전기차 수요: AI 데이터센터(전원공 ascended기기), 전기차 충전기, 5G 기지국 등 GaN의 수요 증가로 삼성전자의 파운드리 매출이 급증할 전망.
  • 글로벌 확장성: 삼성의 GaN 기술은 동유럽, 중동, 북미로 수출 확대 가능성을 높이며, MRO(유지·보수·정비) 사업으로 추가 수익 창출 기대.
• 리스크:
  • 중국 경쟁: 인노사이언스 등 중국 업체의 저가 공세로 가격 경쟁 심화 가능성.
  • 기술적 도전: 삼성의 8인치 GaN 공정 안정화 지연 시 초기 수주 손실 위험.
  • 지정학적 불확실성: 중국의 갈륨 수출 규제(2023년 8월)로 원자재 공급난 가능성.
• 투자 전략:
  • 단기 투자: 2025년 삼성의 GaN 파운드리 가동(2분기 예정)에 따른 주가 상승 모멘텀 활용.
  • 중장기 투자: GaN 시장 성장(CAGR 49%)과 삼성의 수주 확대를 고려해 3~5년 보유 전략 추천.
  • 포트폴리오 다변화: 전력반도체 외 AI, 전기차, 5G 관련 기업 포함으로 리스크 분산.

관련된 주식 종목

아래는 TSMC의 GaN 철수와 삼성전자의 전력반도체 밸류체인 관련 국내외 주식 종목입니다. 경쟁사는 제외했으며, 각 종목의 투자 포인트를 정리했습니다.

종목명설명투자 포인트

삼성전자	8인치 GaN 파운드리 서비스 준비, CSS 사업팀 운영.	TSMC 철수로 GaN 수주 확대, 2025년 매출 10~15% 성장 전망.
DB하이텍	GaN 및 SiC 전력반도체 생산 지원.	삼성의 GaN 파운드리 협력 가능성, 2025년 매출 5% 성장 예상.
Navitas Semiconductor / 나비타스	GaN 전력반도체 선도, TSMC에서 PSMC로 전환.	2026년 100V GaN 양산, 삼성과의 잠재적 협력 가능성.
Power Integrations	GaN 기반 전원관리 IC 전문.	GaN 수요 증가로 2025년 매출 7억 달러 전망, 삼성 협력 잠재력.