반도체 장비 국산화, 드디어 성공! '꿈의 반도체' 시장에 뛰어든 한국 기업SiC 전력반도체 핵심 장비, 이제 테스가 책임진다!

반도체 전공정 장비 전문기업 테스가 SiC(탄화규소) 전력반도체의 핵심 장비인 **HTCVD(고온CVD)**를 국산화하는 데 성공하고 본격적인 상용화에 나섰습니다. SiC 전력반도체는 기존 실리콘(Si) 반도체보다 전력 효율이 뛰어나고 고온에 강해 전기차, 신재생에너지, 고속 충전기 등 미래 산업의 핵심 소재로 불립니다. 그러나 이 SiC 전력반도체를 만드는 데 필요한 HTCVD 장비는 그동안 기술 난이도가 높아 유럽, 일본 기업들이 사실상 독점해 왔습니다.

테스는 2016년부터 개발해 온 DUV(극자외선) LED용 고온 MOCVD 기술을 바탕으로, 3년 만에 SiC 전력소자 성장 장비인 'TRION'을 개발했습니다. 이 장비의 핵심 기술은 두 가지입니다. 첫째, 1,650도의 초고온에서도 8인치 웨이퍼의 온도 편차를 5도 이하로 유지하는 'TRION 스페셜 RF 히터' 기술입니다. 둘째, 가스 분사량을 미세하게 조절해 웨이퍼의 두께와 도핑 균일도를 최상으로 유지하는 'TTPN(Tunable Triple Pair Nozzle)' 기술입니다.

이러한 독자적인 기술을 통해 테스는 장비의 성능을 결정하는 균일도를 획기적으로 향상시켰습니다. 또한, 고객사의 유지보수 편의성과 생산성을 높여 기존 외산 장비의 단점을 보완했습니다.

이번 HTCVD 장비 국산화는 단순히 한 기업의 기술 성공을 넘어, SiC 전력반도체 산업의 공급망 안정성을 확보하고 글로벌 경쟁력을 강화하는 중요한 계기가 될 것입니다. 테스는 이달 14일부터 부산에서 열리는 'ICSCRM 2025'에서 신제품을 공식적으로 선보일 예정입니다.

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투자 아이디어

테스의 HTCVD 장비 상용화는 소재/부품/장비(소부장) 국산화라는 측면에서 매우 중요한 의미를 가집니다. 특히, SiC 전력반도체는 전기차와 같은 고성장 산업의 필수 부품이므로 관련 시장의 폭발적인 성장이 기대됩니다.

투자자는 다음과 같은 점에 주목해야 합니다.

• 독점 시장 진입: 테스는 그동안 유럽, 일본 기업이 독점해 온 HTCVD 장비 시장에 국산 기술로 진입하며 새로운 성장 동력을 확보했습니다. 이는 수익성 개선과 시장 점유율 확대로 이어질 가능성이 높습니다.
• 미래 산업 수혜: SiC 전력반도체는 전기차, 신재생에너지, 데이터센터 등 미래 산업의 핵심 부품입니다. 테스의 장비가 이들 산업의 성장에 필수적인 만큼, 장기적인 관점에서 꾸준한 수요가 발생할 것입니다.
• 리스크 요인: 기술력이 검증되었더라도 실제 양산 라인에 적용되기까지는 시간이 걸릴 수 있습니다. 또한, 기존 시장을 선점한 글로벌 기업들과의 경쟁에서 얼마나 빠르게 시장을 확보할 수 있을지가 중요한 관건입니다.

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관련된 주식 종목

구분	종목명	왜 중요한가요?
국내	테스	SiC 전력반도체의 핵심 공정 장비인 HTCVD의 국산화에 성공한 유일한 기업입니다. SiC 시장의 성장과 함께 직접적인 수혜가 기대되는 핵심 종목입니다.
국내	티씨케이	SiC 반도체 웨이퍼를 만드는 데 필요한 SiC 포커스링을 생산하는 기업입니다. SiC 웨이퍼 시장의 성장에 따라 수요가 증가할 것으로 예상됩니다.
국내	DB하이텍	SiC 전력반도체 파운드리 사업을 확장하고 있는 기업입니다. SiC 기술 개발 및 생산 능력 확보에 적극적인 움직임을 보이고 있어 SiC 시장 성장에 따른 수혜가 예상됩니다.