삼성전자, 하이 NA EUV 도입으로 2나노 이하 공정 본격화…TSMC와 초미세 공정 경쟁 가속

삼성전자가 차세대 반도체 노광장비인 '하이 NA(High Numerical Aperture) EUV'를 화성캠퍼스에 도입하며 2나노 이하 초미세 공정 경쟁에 본격적으로 뛰어들었습니다. 이번 장비 도입은 TSMC를 추격하기 위한 전략적 조치로 평가됩니다.

주요 내용

1. 하이 NA EUV 장비 도입
   • ASML의 'EXE:5000' 장비, 전 세계에서 유일하게 공급되는 고가 장비(약 5000억 원).
   • 기존 EUV 대비 렌즈와 반사경 크기를 확장해 해상력과 정밀도를 대폭 향상.
2. 2나노 이하 공정 경쟁
   • 삼성전자: 하이 NA EUV 활용으로 2나노 이하 공정 완성도 제고 및 생태계 구축.
   • TSMC: 이미 2나노 시험생산에서 60% 수율 확보, 하이 NA EUV 도입 가속화.
3. 파운드리 시장 점유율 현황
   • TSMC: 67.1%로 시장 점유율 상승.
   • 삼성전자: 8.1%로 소폭 하락, 2나노 공정에서 반등 기대.
4. 내부 전략 강화
   • 한진만 파운드리사업부장: "2나노 공정의 빠른 램프업(생산능력 증가) 주문."
   • GAA 공정 전환을 통한 기술적 우위 확보.

전망

삼성전자의 하이 NA EUV 도입은 초미세 공정을 위한 필수적인 기술 기반을 마련하며, 글로벌 파운드리 시장에서의 경쟁력을 강화할 것으로 기대됩니다. TSMC와의 치열한 경쟁 속에서 삼성전자가 2나노 이하 시장에서 어떤 성과를 거둘지 주목됩니다.