삼성전자, HBM 본딩 장비 ‘공급망 다변화’... ASMPT·베시와 손잡고 HBM4 승부수

2026년 1월 21일 업계에 따르면, 삼성전자가 고대역폭메모리(HBM) 및 차세대 3D 패키징 경쟁력을 강화하기 위해 열압착(TC) 본더 공급망을 대대적으로 확장하고 있습니다. 특히 기존 자회사 세메스와 일본 신카와 위주였던 구도에서 벗어나, 싱가포르의 ASMPT 및 네덜란드의 **베시(Besi)**와 협력을 타진하며 HBM4 이후의 기술 주도권 확보에 사활을 걸고 있습니다.

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1. TC 본더 공급망 확대: ASMPT와의 ‘플럭스리스’ 협력

삼성전자는 작년 4분기부터 장비 다변화에 착수했으며, 그 핵심 파트너로 ASMPT가 부상하고 있습니다.

• 기술적 필요성: HBM의 단수가 높아질수록 칩이 휘는 워피지(Warpage) 현상을 잡는 것이 관건입니다. 삼성은 ASMPT와 TC-NCF(비전도성필름) 본더뿐만 아니라 공정 효율이 높은 ‘플럭스리스(Fluxless) 본더’ 도입을 논의 중입니다.
• 공급망 변화: ASMPT는 그간 SK하이닉스의 주요 공급사로 알려졌으나, 삼성이 이번에 적극적으로 러브콜을 보내며 장비 생태계에 지각변동이 예상됩니다.
• HBM4 타겟: 삼성은 최신 10나노급 6세대(1c) D램 기반의 HBM4에도 TC-NCF 공정을 유지할 계획이며, 이를 완벽히 구현할 고성능 장비가 절실한 상황입니다.

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2. 하이브리드 본딩(Hybrid Bonding): ‘포스트 16단’을 향한 준비

16단 이상의 초고적층 HBM에서는 기존의 솔더 범프(Solder Bump)를 없애고 구리와 구리를 직접 붙이는 하이브리드 본딩이 필수 기술로 꼽힙니다.

• 베시(Besi)와의 협력: 삼성은 이미 하이브리드 본더 시제품을 공급한 네덜란드 베시와 협력을 강화하고 있습니다. 베시는 TSMC-애플 공급망의 핵심 장비사로, 삼성은 이를 통해 첨단 패키징(AVP) 경쟁력을 단숨에 끌어올리려 합니다.
• 자체 개발 병행: 자회사 세메스를 통한 자체 장비 고도화와 외산 장비 도입을 병행하는 '투트랙' 전략을 구사하고 있습니다.
• 적용 분야: HBM뿐만 아니라 시스템 반도체 간 이종결합 패키징에도 하이브리드 본딩 기술을 확대 적용할 방침입니다.

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3. 삼성전자의 HBM4 로드맵 및 시장 전망

삼성전자는 HBM3E에서의 아쉬움을 딛고, HBM4에서 대대적인 반격을 예고하고 있습니다.

구분	주요 내용	비고
핵심 공정	TC-NCF 고도화 유지	16단까지 적정 수율 확보 목표
차세대 공정	하이브리드 본딩 선제적 도입 검토	2027년 HBM4E 이후 본격화 전망
주요 파트너	세메스, ASMPT, 베시, 신카와	장비 공급사 다변화로 단가 및 기술 우위 확보
시장 목표	엔비디아 루빈(Rubin) 플랫폼 공급망 30% 이상 점유	마이크론을 제치고 2위 탈환 목표

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💡 전문가 인사이트: "장비가 곧 수율, 수율이 곧 승리"

15년 차 반도체 장비 전문 분석가로서 볼 때, 삼성이 경쟁사의 핵심 공급사였던 ASMPT까지 끌어들인 것은 매우 이례적이면서도 절박한 선택입니다.

"HBM4부터는 적층 기술이 곧 제품의 성능과 가격 경쟁력을 결정합니다. 삼성이 ASMPT의 플럭스리스 본딩 기술에 관심을 갖는 이유는 공정 단계를 줄여 수율을 극대화하기 위함입니다. 또한 베시와의 하이브리드 본더 협력은 파운드리와 메모리를 모두 가진 삼성만이 할 수 있는 '원스톱 패키징'의 완성도를 높여줄 것입니다. 2026년은 삼성이 장비 다변화를 통해 HBM 시장의 판도를 다시 흔드는 **'장비 독립 및 고도화'**의 해가 될 것입니다."