삼성전자, HBM4 승부수 던졌다... 평택 P4에 'D램 요새' 구축

삼성전자가 6세대 고대역폭메모리인 HBM4 시장의 주도권을 잡기 위해 평택 4공장(P4)을 중심으로 전례 없는 설비 투자에 나섭니다. 이는 단순한 증설이 아닌, 차세대 AI 메모리 시장의 판도를 완전히 바꾸겠다는 선언입니다.

1. 역대급 증설: D램 생산 능력 20% 상향

• 압도적 규모: 내년 1분기까지 월 10만~12만 장 규모의 웨이퍼 생산 라인을 신설합니다. 현재 삼성의 전체 D램 캐파가 월 66만 장임을 감안하면, 단 1년 만에 생산 능력을 약 18%나 끌어올리는 공격적 투자입니다.
• 1c D램의 전면 배치: 신규 라인의 핵심은 HBM4의 주재료인 10nm급 6세대(1c) D램입니다. 전체 생산 공정의 25%를 HBM4 전용으로 채우겠다는 계획은 삼성의 무게중심이 어디에 있는지 명확히 보여줍니다.

2. 기술 회복의 자신감: 전영현 부회장의 '재설계' 신의 한 수

• 뼈를 깎는 쇄신: 작년 초까지만 해도 수율 문제로 고전했던 1c D램을 전영현 부회장 주도로 과감히 재설계했습니다. 이 전략이 적중하며 경쟁사를 제치고 엔비디아 HBM4 퀄 테스트를 가장 먼저 통과하는 쾌거를 거뒀습니다.
• 풀가동 모드: HBM4의 '베이스 다이'를 만드는 파운드리(S5) 4나노 라인까지 풀가동에 돌입했으며, 차세대 공장인 P5 건설 속도도 대폭 끌어올리고 있습니다.

3. 메모리 '슈퍼 사이클'의 도래와 가격 폭등

• 공급 부족 가속화: 서버용 DDR5 D램 가격이 분기 만에 98%나 폭등할 만큼 AI향 메모리 수요는 폭발적입니다.
• 유연한 대응 능력: 압도적 자본력을 바탕으로 생산 능력을 선제적으로 확보함으로써, 향후 공급 부족 상황에서 가장 큰 수익을 거두는 승자가 될 가능성이 높습니다.

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 삼성전자 반도체 부문 핵심 투자 포인트

구분	주요 전략 및 현황	기대 효과
평택 P4 신규 라인	월 12만 장 규모 1c D램 설비 구축	HBM4 시장 점유율 압도적 확보
HBM4 기술력	엔비디아 퀄 테스트 최우선 통과	경쟁사(SK하이닉스 등) 추격 및 리드
파운드리 S5	4nm 공정 베이스 다이 생산 풀가동	메모리-파운드리 시너지 극대화
범용 D램 전환	화성 17라인 등 1c 공정으로 대폭 전환	고부가가치 제품 중심 수익성 개선

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 경제 블로그 독자를 위한 '투자 인사이트'

"삼성전자의 '거인의 발걸음'이 다시 시작되었습니다."

그간 시장에서 제기되었던 '삼성 반도체 위기론'은 이번 HBM4 퀄 테스트 통과와 공격적인 P4 증설 발표로 사실상 종지부를 찍게 되었습니다. 특히 HBM4는 파운드리와 메모리 기술이 결합된 고난도 제품인 만큼, 두 영역을 모두 가진 삼성전자의 '종합 반도체 기업(IDM)' 역량이 빛을 발할 시점입니다.

D램 가격 상승과 HBM4 양산이 본격화되는 2026년은 삼성전자 주가의 강력한 리레이팅(재평가) 시기가 될 것으로 보입니다. 이제는 '기술 우려'를 거두고 '생산의 속도'에 주목해야 할 때입니다.