삼성전자가 10나노급 6세대 D램(1c D램) 개발을 완료하며 차세대 고대역폭메모리(HBM4) 양산의 기술적 토대를 마련했습니다. 이는 AI와 고성능 컴퓨팅(HPC) 수요가 폭발적으로 증가하는 가운데, 삼성전자가 메모리 반도체 시장에서 경쟁력을 회복할 결정적 계기가 될 전망입니다. 아래는 투자자 관점에서 주요 내용을 분석한 요약입니다.핵심 내용 분석1c D램 개발 성과기술적 특징: 삼성전자는 10나노급(약 12~13nm) 1c D램 개발을 완료하고 내부 생산 준비 승인(PRA)을 획득했습니다. 이는 품질과 성능 기준을 충족한 상태로, 2025년 하반기 양산을 목표로 최종 준비 단계에 돌입했습니다. 1c D램은 이전 세대(1a, 1b) 대비 회로 선폭이 좁아져 데이터 전송 속도와 전력 효율이 개선된 최신 ..