DRAM 시장 흔들림 속 기회 포착: SK하이닉스 1위, 2025년 반등 노려라!

2025년 1분기 글로벌 DRAM 시장은 전 분기 대비 5.5% 감소한 270억 1000만 달러의 매출을 기록하며 주춤했습니다. 주요 원인은 일반 DRAM 계약가 하락과 고대역폭 메모리(HBM) 출하량 감소입니다. 특히, 삼성전자의 HBM3e 제품 재설계로 공급 병목이 완화되면서 가격 하락 압력이 커졌습니다. 그럼에도 불구하고, SK하이닉스는 97억 2000만 달러의 매출로 시장점유율 36%를 차지하며 삼성전자를 제치고 1위에 올랐습니다. 이는 SK하이닉스가 HBM3e 출하 비중을 확대하며 평균판매단가(ASP)를 유지한 덕분입니다. 삼성전자는 91억 달러로 19% 매출 감소를 기록하며 2위로 밀려났고, 마이크론은 65억 8000만 달러로 2.7% 성장하며 3위를 지켰습니다.

대만 업체들은 상위 3사의 첨단 공정 전환으로 생긴 시장 공백을 메우며 저가형 LPDDR4와 DDR4 중심으로 성장했습니다. 난야(Nanya)는 DDR5 출하로 7.5% 성장(2억 1900만 달러), 윈본드(Winbond)는 고밀도 저가 메모리 출하 증가로 22.7% 성장(1억 4600만 달러)을 기록했습니다. 반면, PSMC는 자체 소비자용 DRAM 매출이 1.4% 감소(1100만 달러)했으며, 파운드리 서비스를 포함한 총 DRAM 매출은 13% 줄었습니다.

2분기 전망은 긍정적입니다. PC와 스마트폰 제조업체들의 재고 조정이 마무리되며 시스템 생산이 증가하고, 이에 따라 일반 DRAM과 HBM 수요가 반등할 것으로 예상됩니다. 계약가도 상승세로 돌아설 가능성이 높아, DRAM 시장의 회복 모멘텀이 기대됩니다. 이는 AI 서버와 데이터센터 수요 증가, 그리고 스마트폰의 고사양 메모리 채택(예: 12GB LPDDR5T/X)과 맞물려 있습니다.

투자자 입장에서 이번 매출 감소는 단기적인 조정 국면으로 볼 수 있으며, 2분기 수요 회복과 가격 반등은 반도체 섹터, 특히 HBM과 관련된 기업들에 새로운 기회를 열어줄 것입니다. 다만, 중국의 저가 DRAM 공급 확대와 지정학적 무역 갈등은 주요 리스크로 작용할 가능성이 있습니다.

투자 아이디어

2025년 1분기 DRAM 시장의 매출 감소는 일시적인 조정으로 보이며, 2분기 반등 전망은 투자자들에게 매력적인 기회를 제공합니다. 다음은 투자자가 주목해야 할 핵심 포인트입니다:

1. HBM 시장의 지속적인 성장: AI 서버와 데이터센터 수요가 HBM3e 및 향후 HBM4 수요를 견인하고 있습니다. SK하이닉스의 70% HBM 시장 점유율과 마이크론의 출하 확대는 이 분야의 강력한 성장 잠재력을 보여줍니다. 특히, SK하이닉스는 엔비디아 공급망에서 독점적 지위를 유지하며 안정적인 수익성을 확보하고 있습니다.
2. 일반 DRAM 수요 회복: PC와 스마트폰 제조업체의 재고 조정 완료로 DDR5와 LPDDR5 수요가 증가할 전망입니다. 이는 삼성전자와 마이크론 같은 기업이 고사양 메모리 시장에서 수혜를 볼 가능성을 높입니다. 특히, 애플의 차세대 아이폰에 12GB LPDDR5T/X 탑재 계획은 긍정적 신호입니다.
3. 대만 업체의 틈새시장 공략: 난야와 윈본드는 저가형 LPDDR4와 DDR4로 시장 공백을 채우며 안정적인 성장을 기록했습니다. 이들은 첨단 공정으로 전환하지 않은 시장에서 경쟁력을 유지하며 안정적인 투자 대상이 될 수 있습니다.
4. 리스크 요인: 중국의 DRAM 공급 확대(특히 창신메모리(CXMT))는 저가 시장에서 가격 경쟁을 심화시킬 수 있습니다. 또한, 미국의 대중국 무역 제재와 관세 정책은 글로벌 공급망에 불확실성을 더할 수 있습니다. SK하이닉스와 삼성전자의 중국 내 생산(예: 우시, 시안)도 미국의 CHIPS Act 제한에 영향을 받을 가능성이 있습니다.

관련 테마:

• AI 및 데이터센터: HBM3e와 HBM4 수요는 AI 서버와 GPU 수요 증가로 지속될 전망입니다.
• 반도체: DDR5와 LPDDR5 채택 확대는 고사양 메모리 시장의 성장을 가속화합니다.
• 스마트폰 및 PC: 재고 조정 완료와 고사양 메모리 탑재로 수요가 회복될 가능성이 높습니다.

투자자는 HBM 중심의 성장주(SK하이닉스, 마이크론)와 저가 메모리 틈새시장(난야, 윈본드)을 균형 있게 고려하며, 중국 경쟁과 무역 정책 리스크를 관리하는 전략이 필요합니다.

관련된 주식 종목

아래는 2025년 1분기 DRAM 시장과 2분기 전망에서 수혜가 기대되는 주요 종목입니다. 이들은 HBM 및 일반 DRAM 밸류체인에서 핵심 역할을 합니다.

종목명설명

SK하이닉스	HBM3e 시장에서 70% 점유율을 유지하며 엔비디아 공급망을 독점, 1위 탈환으로 안정적인 성장 기대. HBM4 개발에서도 선두를 달리고 있습니다.
삼성전자	HBM3e 공급 지연으로 2위로 밀렸으나, HBM4 조기 출시(2025년 중반 목표)로 반등 가능성이 높습니다. DDR5와 LPDDR5에서도 경쟁력 유지.
Micron Technology (마이크론 테크놀로지)	HBM3e 출하 확대와 서버 DRAM 수요 증가로 2.7% 매출 성장. 데이터센터 중심의 고사양 메모리 시장에서 강점.
Nanya Technology (난야 테크놀로지)	DDR5 출하로 틈새시장에서 안정적인 성장. 저가형 DDR4와 LPDDR4로 시장 공백을 공략.
Winbond Electronics (윈본드 일렉트로닉스)	고밀도 저가 LPDDR4와 DDR4 출하로 22.7% 성장. 저가 시장에서 경쟁력 유지.