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삼성전자가 고성능 메모리 반도체인 HBM(고대역폭메모리)의 차세대 제품 개발을 위해 새로운 본딩 기술인 '플럭스리스(Fluxless)' 도입을 적극 검토하고 있습니다. 이는 반도체 업계의 주목을 받고 있는 중요한 기술 동향입니다.
플럭스리스 본딩 기술의 특징
플럭스리스 본딩 기술은 기존 본딩 방식에서 사용되던 플럭스라는 물질을 제거한 새로운 접합 방식입니다. 이 기술은 다음과 같은 장점을 가지고 있습니다:
- 고적층, 고밀도 HBM 구현에 유리
- 칩 신뢰성 향상
- 세정 공정 간소화
삼성전자의 플럭스리스 기술 평가 현황
삼성전자는 현재 차세대 HBM인 HBM4(6세대) 개발을 위해 플럭스리스 본딩 기술을 적극 검토 중입니다:
- 올해 초부터 해외 주요 협력사와 초기 평가 작업 시작
- 연말까지 양산 인증 목표
- 로직 반도체보다 메모리 분야에 우선 적용 검토
업계 동향 및 전망
삼성전자뿐만 아니라 SK하이닉스, 마이크론 등 주요 메모리 기업들도 플럭스리스 본딩 기술 도입을 검토 중입니다:
- 16단 HBM 제품에 적용 고려 중
- 장비업체들도 플럭스리스 본더 개발 중
- 하이브리드 본딩과 함께 차세대 본딩 기술로 주목받음
향후 과제
삼성전자를 비롯한 메모리 기업들은 플럭스리스 기술 도입에 앞서 몇 가지 과제를 해결해야 합니다:
- 기존 NCF 기술과의 비교 평가
- 하이브리드 본딩 기술과의 경쟁력 분석
- 새로운 장비 인프라 구축에 따른 비용 문제
플럭스리스 본딩 기술은 차세대 HBM 개발의 핵심 기술로 부상하고 있으며, 앞으로의 기술 발전과 적용 현황을 주목해볼 필요가 있습니다.
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