삼성전자, '모바일 HBM' LPW DRAM 개발 가속화…온디바이스 AI 시장 선점 나서

삼성전자가 차세대 모바일 메모리 시장을 선점하기 위해 LPW(Low Power Wide I/O) DRAM 개발에 박차를 가하고 있습니다. 이 기술은 **"모바일 HBM"**으로 불리며, 온디바이스 AI(기기 내 자체 AI 처리) 시대를 위한 핵심 솔루션으로 주목받고 있습니다.

LPW DRAM의 핵심 특징

• 초고속 성능: 초당 204.8GB 데이터 처리 속도 (기존 LPDDR5X 대비 166% 향상).
• 저전력 설계: 1.87pJ/b(피코줄)의 극저전력 소모로 배터리 효율 극대화.
• 적층 기술: LPDDR D램을 계단식으로 적층해 I/O를 512개로 확장 (기존 대비 8배 증가).
• 온디바이스 AI 최적화: 모바일 기기에서 대규모 AI 연산을 가능하게 하는 병목 현상 해소.

개발 현황 및 협력 사항

1. 애플과의 협업
   • 삼성 MX 사업부와 애플이 LPW DRAM 개발 파트너십 진행 중.
   • 2028년 양산 목표, iPhone 등 애플 제품에 최초 적용 예상.
2. 표준화 주도
   • JEDEC(국제반도체표준협의기구) 표준 제정을 주도해 자사 기술 기반 규격 확보 예정.
3. SK하이닉스와의 경쟁 구도
   • 삼성: VWB(Vertical Wire Bonding) 패키징 기술 적용.
   • SK하이닉스: VFO(Vertical Fan-Out) 기술 개발 중.

시장 전망

• 온디바이스 AI 수요 급증: 2028년 글로벌 모바일 DRAM 시장 규모 263억 달러 전망(Omdia).
• 적용 분야 확대: 스마트폰 → AR/VR, 자율주행차, AI PC로 영역 확장.
• HBM 대비 경쟁력: 모바일 환경에 특화된 저전력·소형화 설계로 차별화.

삼성전자는 LPW DRAM을 통해 "AI 스마트폰" 시장을 선도할 계획입니다. 이미 MediaTek의 차세대 AP 'Dementity 9400'과 호환성 검증을 마쳤으며, 2025년 하반기부터 샘플 공급을 시작할 예정입니다. 이 기술은 모바일 기기의 AI 기능을 서버 의존 없이 로컬에서 처리하는 혁신을 이끌 것으로 기대됩니다.