삼성전자가 하버드대학교와 공동 연구를 통해 뉴로모픽 반도체에 적용 가능한 비휘발성 메모리 기술을 개발하며, 미래 AI 반도체 시장에서의 경쟁력을 강화했습니다. 이번 기술은 **미국특허청(USPTO)**에 의해 특허 승인되었으며, 빛을 활용한 혁신적인 메모리 기술로 기존 반도체의 한계를 뛰어넘는 성능을 제공합니다.1. 뉴로모픽 반도체와 비휘발성 메모리 기술▷ 특허의 핵심: 빛 활용 저항 변화형 메모리(RRAM)삼성전자가 확보한 기술은 빛을 활용해 메모리의 저항값을 조절하는 방식으로, 기존 전압 기반 메모리보다 빠르고 효율적인 데이터 저장 및 처리가 가능합니다.이 기술은 뉴로모픽 칩의 연산 속도를 높이며, 벡터-행렬 연산(Vector-Matrix Multiplication)과 같은 AI 연산을 효과적으로 수..
