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SK하이닉스가 하이브리드 본딩 기술을 활용해 12단 HBM3 양산 가능성을 확인하며 AI 메모리 시장 선두 지속을 예고했습니다. 2025년 HBM4E(7세대)부터 본격 도입될 이 기술은 범프 없이 구리선으로 직접 칩을 연결해 두께를 775㎛ 이하로 줄이고 신호 전달 속도를 획기적으로 개선합니다.
- 기술 핵심: 기존 마이크로 범프 대신 구리-구리 직접 연결로 열 관리·집적도 향상.
- 실험 결과: HBM3 12단 고온 수명·결합 안정성 테스트에서 전 항목 합격.
- 로드맵: 2025년 HBM4E(16단 이상) 적용 목표, 2026년 HBM5(3D 적층) 시대 예고.
SK하이닉스는 TSMC와 협력해 HBM4부터 로직 반도체 기반 베이스 다이를 도입하며 시스템 반도체 역량을 강화 중입니다.
투자 아이디어
- HBM4E 테마주 선점: 2025년 2분기 양산 본격화 전 반도체 장비·소재株 선행 반영 예상.
- 하이브리드 본딩 수혜株: CMP(화학기계연마) 장비·플라즈마 공정 기술 보유 기업 집중 모니터링.
- 3D HBM 대응 전략: 2026년 이후를 대비한 웨이퍼 본딩·계측 분야 기술력 우위 기업 발굴.
관련 테마: #하이브리드본딩 #HBM4E #AI메모리 #3D적층
관련된 주식 종목
종목명주요 포인트
| SK하이닉스 | 하이브리드 본딩 기술 선점으로 HBM 시장 60% 점유율 유지 전망 |
| 테스나홀딩스 | 반도체 검사장비 기업, HBM 고층 적층용 MI(계측검사) 기술력 보유 |
| 원익IPS | 플라즈마 공정 장비 전문기업, 하이브리드 본딩 후공정 수혜 기대 |
SK하이닉스는 HBM4E 양산 시점(2025년 하반기)을 기준으로 주가 추가 상승 모멘텀이 발생할 전망입니다. 단기 투자 포인트는 2025년 1분기 HBM4 샘플 출하 성과와 2분기 TSMC 협업 공정 진척도에 있으며, 중장기적으로는 3D HBM 기술 개발 속도가 관건입니다. 반도체 장비株 투자 시 CMP·플라즈마 분야에서 실제 SK하이닉스 납품 실적이 확인된 기업을 우선 편입해야 합니다.
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