삼성전자, 1c D램 재설계 검토…HBM4로 반격 준비

삼성전자가 6세대(1c) D램의 수율 확보에 어려움을 겪으면서 재설계를 검토하고 있습니다. 이는 차세대 고대역폭메모리(HBM4)에서 경쟁력을 회복하기 위한 중요한 전략으로 평가됩니다.

주요 내용

1. 1c D램 재설계 배경
   • 1c D램은 삼성전자가 올해 하반기 양산을 목표로 개발 중인 6세대 D램으로, HBM4에 적용될 예정.
   • 현재 수율이 목표치에 도달하지 못해 일부 설계 변경을 검토 중.
2. HBM 시장에서의 경쟁
   • SK하이닉스는 HBM4에 5세대(1b) D램을 적용, 삼성전자는 이를 넘어서는 기술력으로 HBM4를 선보일 계획.
   • 엔비디아 등 주요 고객사의 요구에 따라 HBM3E와 HBM4 설계 및 생산 일정 조정 중.
3. 기술적 도전과 전망
   • 1a D램 설계 기술이 뒷받침되면 1c D램의 수율 확보 가능성 증가.
   • 일부 설계만 수정할 경우, 올해 상반기 내 개발 완료 및 하반기 양산 가능.

삼성전자의 전략

• 전영현 DS부문장이 메모리사업부장을 겸임하며 공정별 설계를 재점검.
• 올해 전체 HBM 비트 공급량을 전년 대비 2배 확대할 계획.
  
  
  그리고 한미 TC본더좀 써줘요 좀..