삼성전자, HBM4 승부수로 하이브리드 본딩 기술 도입 가속화

삼성전자가 고대역폭메모리(HBM) 시장에서 주도권 회복을 위해 차세대 패키징 기술인 하이브리드 본딩(HCB) 도입에 박차를 가하고 있습니다.

하이브리드 본딩 설비 반입

최근 삼성전자는 경기도 화성 사업장에 HCB 설비를 반입하고 관련 행사를 개최했습니다. 송재혁 디바이스솔루션(DS)부문 CTO 사장은 이를 "9회 말 노아웃 상황에서 첫 번째 주자를 성공적으로 내보낸 것"에 비유하며 기술 도입의 중요성을 강조했습니다.

HCB 기술의 장점

하이브리드 본딩 기술은 기존의 열압착(TC) 본딩 기술에 비해 여러 장점을 제공합니다:

1. 반도체 전체 두께 감소
2. 데이터 전송 속도 향상
3. 저항 감소로 인한 성능 개선

HBM4 개발 가속화

삼성전자는 HBM4(6세대 제품) 개발에 HCB 기술을 적용하여 경쟁사와의 격차를 좁히려 하고 있습니다. 이는 당초 계획보다 6개월 가량 앞당겨진 일정으로, 올 상반기 내에 HBM4 제품의 PRA(생산준비승인)를 완료하는 것을 목표로 하고 있습니다.

향후 전망

삼성전자의 이러한 노력은 AI 반도체 시장에서의 경쟁력 강화를 위한 것으로 보입니다. HBM4 개발 성공 여부가 삼성전자의 반도체 사업 반등의 핵심이 될 것으로 전망됩니다.


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