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삼성전자, 4나노 HBM4 로직 다이로 파운드리 반전 시동

Htsmas 2025. 4. 16. 08:48
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삼성전자 파운드리 사업부가 2025년 하반기부터 4나노미터(nm) 공정 가동률이 크게 개선될 전망입니다. 그 배경에는 차세대 고대역폭메모리(HBM)4의 로직 다이 생산이 있습니다. HBM4는 AI 반도체 시장의 핵심 부품으로, 삼성전자는 기존 D램 공정이 아닌 4nm 파운드리 공정을 통해 로직 다이를 생산합니다. 이로써 성능, 전력효율, 면적(PPA) 등에서 경쟁사 대비 우위를 확보할 수 있습니다.

삼성전자는 2024년 4분기 HBM4 설계를 마치고, 2025년 4분기부터 대규모 양산에 돌입할 계획입니다. 4nm 공정은 이미 70% 이상의 수율을 기록하고 있으며, 갤럭시 S24의 엑시노스 2400 등에도 적용된 삼성의 대표 미세공정입니다26. HBM4 로직 다이는 고객사 맞춤형 기능을 넣을 수 있어, 엔비디아, AMD, 인텔 등 글로벌 AI 반도체 기업의 수요에 적극 대응할 수 있습니다.

빅테크 수주도 긍정적입니다. 퀄컴은 XR2+ 2세대 AP를, AMD는 차세대 서버용 CPU I/O 다이를 삼성전자 4nm 공정에서 생산할 예정입니다. 국내 AI 반도체 기업 리벨리온도 차세대 AI 칩 ‘리벨’ 양산에 삼성 4nm 공정을 활용합니다. XR, AI, 서버 등 다양한 신성장 분야에서 삼성 파운드리의 입지가 강화되고 있습니다.

다만, HBM4 코어 다이에 적용될 10nm급 6세대(1c) D램 개발이 지연되고 있어, HBM4 양산 시점이 내년 상반기에서 하반기로 미뤄질 수 있다는 점은 변수입니다. 경쟁사인 SK하이닉스는 이미 HBM4 샘플을 주요 고객사에 공급하며 한발 앞서고 있습니다35.

투자 아이디어

  • 4nm 파운드리 가동률 개선
    HBM4 로직 다이, 빅테크 수주, AI 반도체 수요 증가로 삼성전자 파운드리의 4nm 공정 가동률이 하반기부터 크게 개선될 전망입니다.
  • 맞춤형 HBM 시장 성장
    고객사 요구에 맞춘 커스텀 HBM, 3D HBM 등 신제품 개발이 본격화되며, 파운드리와 메모리 사업의 시너지가 기대됩니다.
  • 빅테크와 AI 반도체 수주 확대
    퀄컴, AMD, 리벨리온 등 글로벌 및 국내 AI 반도체 기업의 수주 확대는 삼성전자 파운드리의 신뢰도와 성장성을 높여줍니다.
  • 경쟁 구도와 리스크 관리
    SK하이닉스와의 HBM4 개발 경쟁, 1c D램 개발 지연 등은 단기적 리스크이나, 중장기적으로는 기술력과 생산능력에 따라 시장 판도가 달라질 수 있습니다.
  • 테마 확장
    AI, 반도체, 파운드리, HBM, 서버, XR, 맞춤형 반도체 등 다양한 성장 테마에 투자 기회가 열려 있습니다.

관련된 주식 종목

종목명주요 역할 및 투자 포인트
삼성전자 4nm 파운드리, HBM4 로직 다이, AI 반도체, 빅테크 수주 확대
SK하이닉스 HBM4, HBM3E 등 고대역폭메모리 선도, TSMC와 협력 강화
리벨리온 AI 반도체 설계, 삼성전자 4nm 공정 활용, 국내 AI 칩 성장주
TSMC 글로벌 파운드리 1위, SK하이닉스 HBM4 로직 다이 생산 파트너
AMD 서버용 CPU, I/O 다이 등 삼성전자 4nm 공정 활용, AI 서버 시장 성장
 



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