삼성전자, 차세대 D램 개발 전략 수정...수율 향상에 집중

삼성전자가 최첨단 D램 개발 전략을 수정하며 수율 향상에 집중하고 있습니다. 이는 HBM(고대역폭메모리) 등 고부가가치 메모리의 안정적인 양산을 위한 전략으로 풀이됩니다.

주요 내용:

1. 1c D램 개발 방향 전환
   • 삼성전자는 지난해 하반기부터 1c(6세대 10나노급) D램의 칩 사이즈를 키우는 방향으로 재설계를 진행 중입니다.
   • 회로 선폭은 11~12나노미터(nm) 수준을 유지하되, 주변 회로의 선폭 기준을 완화하여 수율 향상에 초점을 맞추고 있습니다.
2. HBM4 적용 계획
   • 1c D램은 차세대 HBM4(6세대 HBM)에 우선 적용될 예정입니다.
   • 경쟁사 대비 한 세대 앞선 D램을 적용하여 HBM 경쟁력을 빠르게 향상시키려는 전략입니다.
3. 수율 개선 노력
   • 지난해 첫 양품 확보 후에도 만족스러운 수율 달성에 어려움을 겪어왔습니다.
   • 현재 재설계된 1c D램의 유의미한 수율 결과는 5~6월경 도출될 것으로 예상됩니다.
4. 1b D램 개선 작업
   • 서버용 32Gb 1b D램 제품도 수율 향상을 위한 재설계가 진행 중입니다.
   • 목표는 양산 수준인 70~80%대 수율 달성입니다.

삼성전자의 이러한 전략 변경은 단기적으로는 비용 증가를 수반할 수 있지만, 장기적으로 차세대 메모리 시장에서의 경쟁력 확보를 위한 중요한 결정으로 평가됩니다.